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【就技术论技术之结束篇】太阳能和纳米技术

hwarrensen
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头衔: 海归少将
声望: 专家

加入时间: 2004/02/22
文章: 1961

海归分: 300133

标题: 【就技术论技术之结束篇】太阳能和纳米技术 (2029 reads) 时间: 2011-5-27 周五, 06:03

作者：hwarrensen 在海归茶馆发贴, 来自【海归网】 http://www.haiguinet.com

2011-05-26

我本来还想再提一些请教木博士的。比如我在周末读书：围棋和苹果里提到硅成了半导体主流材料的两个原因：“理论上说，锗的开关速度快。但大规模生产硅却有着两条其他材料所无法比拟的优越性：大面积 (目前300毫米直径)的硅基片，和性能稳定界面光滑的绝缘材料氧化硅。这两条决定了硅基片技术能实现大批量低成本生产。” 然后琴清进一步提到 “选择硅做绝缘材料之所以市场更可行还有一个原因就是硅太易得了，到处可见的砂子的主要成分就是二氧化硅。这大概也是为什么砂子可以灭电火的原因。而锗，虽然与硅同价，因为核外电子相对活跃，做绝缘材料易出现反向漏电现象，且比硅不易得多了。” 木博士据此得出结论认为(琴清) “ 你说的好像更靠谱一些”。这当然是一个纯技术问题，不存在“数据解读”或 “屁股决定结论”的问题。本着“就技术论技术”的精神，我本来想向木博士请教他的结论的依据是什么。

琴清贴子里提到的第一个原因是硅材料的丰富储量。第二条是硅性能，这实际上是对我的第二条“性能稳定界面光滑的绝缘材料氧化硅”的说明。所以归根结底，木博士的结论是，硅材料的丰富储量决定了硅成为半导体主流材料; 这比我说的硅的两大优越性, 大面积 (目前300毫米直径)的硅基片，和性能稳定界面光滑的绝缘材料氧化硅 “好象更靠谱”。

我之所以还说明了这个问题，是因为此外还有一些相关的技术问题对理解太阳能技术的发展前景，尤其是结构的重要性。比如

1. 现代半导体装置的基础是门电路，也就是所谓的MOSFET。在这里的”M”是什么？最近有些什么新发展？
2. MOSFET里的 “O”是什么，最近有什么新发展？
3. “FET”是什么，最近有什么新发展？

等。今天我先把问题放在这里，欢迎大家讨论。等忙完了有空了，这好就此把太阳能的关键技术问题，也就是效率，做个小结。

此外，给这条蛇画只脚。从一开始我就说我无意意气之争。而且我也没有任何对木博士有不尊重的意思。N年前在德国待过，大至有些了解。德国的博士那是硬碰硬货真价实。德国的大学水平都很高，而且很齐，不象美国，有哈佛斯坦福麻省加州理工，也有西太。术业有专攻，木博士自有其强项。不象坛子里那些专攻忽悠的，在美国哪个三流大学读了好几年，区区一个硕士都不肯毕业 ——— 人唐总好赖还在西太拿了学位呢 ——— 却拉大旗作虎皮冒充大佬来着。

除非木博士另有看法，我想这“就技术论技术”也可以收场了。我不看好风能的论点有两个：一个是市场，另一个是在新能源里，风能的前景没法和太阳能比。“就技术论技术”聊的就是第二条，到目前似乎没有异议。过过有空了，我就收官子了。

作者：hwarrensen 在海归茶馆发贴, 来自【海归网】 http://www.haiguinet.com

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